ZEISS場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡
生產(chǎn)廠家：德國(guó)ZEISS
設(shè)備型號(hào)：ULTRA 55
安放地點(diǎn)：昌平創(chuàng)新園南樓102
負(fù)責(zé)人：段曉鴿
聯(lián)系電話：010-62332598-6102
主要功能：
該設(shè)備可以觀察和檢測(cè)微米、納米級(jí)樣品的表面形貌特征和成分、取向測(cè)試分析。其最大特點(diǎn)是具備超高分辨掃描圖像觀察能力，尤其是采用最新數(shù)字化圖像處理技術(shù)，提供高倍數(shù)、高分辨掃描圖像，是納米材料粒徑測(cè)試和形貌觀察最有效儀器，也是研究材料結(jié)構(gòu)與性能關(guān)系所不可缺少的重要工具。廣泛用于生物學(xué)、醫(yī)學(xué)、金屬材料、高分子材料、化工原料、地質(zhì)礦物、商品檢驗(yàn)、產(chǎn)品生產(chǎn)質(zhì)量控制、寶石鑒定、考古和文物鑒定及公安刑偵物證分析。
主要技術(shù)參數(shù)分辨率：1.0nm @ 15kV
放大率：12×～ 900,000×（SE）
加速電壓：0.1kV～30kV
探針電流：4pA～20nA
樣品室：330mm（內(nèi)徑）×270mm（高）
樣品臺(tái)：行程：X=Y=130mm；Z=50mm
旋轉(zhuǎn)：360°連續(xù)（馬達(dá)驅(qū)動(dòng)）
傾斜：-3°～ +70°（馬達(dá)驅(qū)動(dòng)）
配置：
1.探測(cè)器：
In-lens內(nèi)置式二次電子探測(cè)器
E-T二次電子探測(cè)器
EsB電子槍內(nèi)置式能量選擇型背散射電子探測(cè)器
AsB角度選擇型背散射電子探測(cè)器
2.X射線能譜儀（EDS）
型號(hào)： INCA X-MAX 50（Oxford Instruments）
能量分辨率：129eV@MnKα
探測(cè)元素范圍：Be4-U92
3.電子背散射衍射（EBSD）分析系統(tǒng)
型號(hào)：HKL Nordlys F+（Oxford Instruments）
空間分辨率：優(yōu)于50nm
標(biāo)定速度：600Hz（點(diǎn)/秒）
4.原位拉伸臺(tái)
型號(hào)：Mtest 2000ES（Gatan）
最大載荷：2000N
力測(cè)試精度：載荷級(jí)別的1%
拉伸速度：0.033 - 0.4mm/min
試件可拉伸距離：≤10mm
實(shí)驗(yàn)室預(yù)約 ：